GAA ( Gate-All-Around)，「閘極全環」或稱「環繞式閘極結構」
GAA由IBM提出概念，一種多閘極電晶體，使用一個電極同時控制多個閘極的電晶體。
GAA是當前鰭式場效電晶體（FinFET） 進化版的晶片生產技術；
GAA能對晶片核心進行全新改造與設計，使晶片更小，處理速度更快且更省電，是一項全新的電晶體架構。
目前三星主導 GAA 的3奈米製程，試圖突破台積電在先進製程中的全球霸主地位。
由於 3 奈米已達 FinFET 技術的瓶頸，會出現製程微縮，產生電流控制漏電的物理極限問題，
台積電研發多年的奈米片（Nano Sheet）堆疊關鍵技術，及 EUV 運用經驗，將能使良率提升更順利。
但就算有 EUV 技術加持，但 2 奈米勢必要轉換跑道。
因此，台積電去年成立 2 奈米專案研發團隊，據消息透露2 奈米即將改採全新的 GAA 基礎，使用多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構。
若 2 奈米在 2023 年即能投產，就目前台積電公布的製程推進來看，採用 EUV 的 5 奈米良率已快速追上 7 奈米，甚至預期風險試產良率即可到 9 成。
目前台積電已表示，未來 2 奈米研發生產將落腳新竹寶山，將規劃建設 4 個超大型晶圓廠，將成為下一輪半導體大戰主力。